机译:亚毫安级阈值InGaAs-GaAs应变层量子阱激光器
机译:杂质诱发的无序应变InGaAs-GaAs量子阱激光器,阈值非常低,蓝移适中
机译:具有反应离子刻蚀四方腔的InGaAs-GaAs应变层单量子阱环形激光器
机译:低阈值IngaAs / GaAs应变层量子阱激光器(Lambda = 0.98微米),通过化学梁外延生长的GaInp覆层层
机译:I型和II型应变量子阱激光器的研究。
机译:用于制造具有高激光诱导损伤阈值的HfO2 / Al2O3薄膜的原子层沉积
机译:亚毫安级阈值InGaAs-GaAs应变层量子阱激光器
机译:具有GaInp包层和质量传输埋层异质结构的低阈值InGaas应变层量子阱激光器(λ= 0.98微米)